| Номер частини : | 1N8028-GA |
|---|---|
| Виробник / марка : | GeneSiC Semiconductor |
| Опис : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| Статус RoHs : | Містить свинець / RoHS невідповідний |
| Кількість доступних | 211 pcs |
| Технічні таблиці | 1N8028-GA.pdf |
| Напруга - пік реверсу (макс.) | Silicon Carbide Schottky |
| Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо | 9.4A (DC) |
| Напруга - розбивка | TO-257 |
| Серія | - |
| Статус RoHS | Tube |
| Зворотний час відновлення (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Опір @ Якщо, Ф. | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Поляризація | TO-257-3 |
| Інші імена | 1242-1115 1N8028GA |
| Робоча температура - з'єднання | 0ns |
| Тип монтажу | Through Hole |
| Рівень чутливості вологи (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Час виробництва виробника | 18 Weeks |
| Номер деталі виробника | 1N8028-GA |
| Розгорнутий опис | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| Конфігурація діодів | 20µA @ 1200V |
| Опис | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| Поточний - зворотний витік @ Vr | 1.6V @ 10A |
| Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод) | 1200V (1.2kV) |
| Ємність @ Vr, F | -55°C ~ 250°C |
GeneSiC Semiconductor
