Ласкаво просимо на www.icgogogo.com

Оберіть мову

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Якщо мова, яка вам потрібна, недоступна, будь ласка, " Зверніться до служби обслуговування клієнтів "

EPC2021ENGR

Номер частини : EPC2021ENGR
Виробник / марка : EPC
Опис : TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Статус RoHs : Без свинцю / RoHS відповідність
Кількість доступних 8815 pcs
Технічні таблиці EPC2021ENGR.pdf
Напруга - випробування 1700pF @ 40V
Напруга - розбивка Die
Vgs (th) (Макс.) @ Id 2.5 mOhm @ 29A, 5V
Технологія GaNFET (Gallium Nitride)
Серія eGaN®
Статус RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 60A (Ta)
Поляризація Die
Інші імена 917-EPC2021ENGRTR
Робоча температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу Surface Mount
Рівень чутливості вологи (MSL) 1 (Unlimited)
Номер деталі виробника EPC2021ENGR
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds 15nC @ 5V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs 2.5V @ 14mA
Особливість FET N-Channel
Розгорнутий опис N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Водовідведення до джерела напруги (Vdss) -
Опис TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C 80V
Коефіцієнт ємності -
EPC2021ENGR
EPC EPC Зображення лише для довідки. . Див. Специфікації продукту для деталей виробу.
Купуйте EPC2021ENGR з впевненістю від {Define: Sys_Domain}, 1 рік гарантії
Надішліть запит про котирування про кількість, що перевищують, ніж показані.
Цільова ціна (USD):
Кількість:
Усього:
$US 0.00

Супутні товари

Процес доставки