| Номер частини : | MBR200200CT |
|---|---|
| Виробник / марка : | GeneSiC Semiconductor |
| Опис : | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
| Статус RoHs : | Без свинцю / RoHS відповідність |
| Кількість доступних | 686 pcs |
| Технічні таблиці | MBR200200CT.pdf |
| Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо | 920mV @ 100A |
| Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс) | 200V |
| Пакет пристрою постачальника | Twin Tower |
| Швидкість | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серія | - |
| Упаковка | Bulk |
| Пакет / Корпус | Twin Tower |
| Робоча температура - з'єднання | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажу | Chassis Mount |
| Рівень чутливості вологи (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Час виробництва виробника | 4 Weeks |
| Статус безкоштовного статусу / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип діодів | Schottky |
| Конфігурація діодів | 1 Pair Common Cathode |
| Детальний опис | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower |
| Поточний - зворотний витік @ Vr | 3mA @ 200V |
| Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод) | 100A |
