| Номер частини : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Виробник / марка : | ON Semiconductor |
| Опис : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Статус RoHs : | Без свинцю / RoHS відповідність |
| Кількість доступних | 1001518 pcs |
| Технічні таблиці | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Напруга - розподіл емітера колектора (макс.) | 100mA |
| Напруга - розбивка | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic | 50V |
| Серія | - |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Резистор - емітерна база (R2) (Ом) | 47k |
| Резистор - база (R1) (Ом) | - |
| Потужність - Макс | 250mW |
| Поляризація | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Інші імена | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Фігура шуму (dB Typ @ f) | 47k |
| Тип монтажу | Surface Mount |
| Рівень чутливості вологи (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Час виробництва виробника | 10 Weeks |
| Номер деталі виробника | MUN5113DW1T1G |
| Частота - перехід | 80 @ 5mA, 10V |
| Розгорнутий опис | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Опис | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce | 500nA |
| Поточний - Колектор відсікання (Макс) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Поточний - Колектор (Ic) (Макс) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
